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  Transistor  (24.754 Angebote unter 29.246.393 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Infineon IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 148 W, 3-Pin HSIP247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V Verlustleistung max. = 148 W Gehäusegröße = HSIP247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IKFW75N65ES5XKSA1
ab € 5,90*
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STMICROELECTRONICS STGWA25S120DF3 IGBT, EINFACH, 1.2KV, 50A, TO-247-3 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Kollekto...
ST Microelectronics
STGWA25S120DF3
ab € 3,84*
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Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 46A; 379W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom im Impuls: 105A Anschaltzeit...
Microchip Technology
APT35GN120SG
ab € 9,42*
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 Stück
Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IGB30N60H3ATMA1
ab € 1,38*
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TOSHIBA 2SA1586-GR,LF(T TRANSISTOR BIPOLAR PNP 50V 0.15A SOD-323 (1 Angebot) 
Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 V Bauform - Transistor: SOD-32...
Toshiba
2SA1586-GR,LF(T
ab € 0,0189*
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Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 37A; 203W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 37A Kollektorstrom im Impuls: 90A Anschaltzeit...
Microchip Technology
APT30GN60BG
ab € 3,75*
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 Stück
Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 24A Kollektorstrom im Impuls: 60A Anschaltzeit...
Microchip Technology
APT20GN60BG
ab € 4,36*
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Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 187 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon bipolare Trans...
Infineon
AIKW30N60CTXKSA1
ab € 4,05*
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Infineon IGBT / 600 A 20V max., 1200 V 1,2 kW AG-62MM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,2 kW Gehäusegröße = AG-62MM Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration =...
Infineon
FF600R12KE4BOSA1
ab € 167,01*
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Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 66A; 543W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 66A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anschaltzeit...
Microchip Technology
APT50GN120B2G
ab € 10,94*
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 Stück
Infineon IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 120 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 120 W Gehäusegröße = To-247-3-HCC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinan...
Infineon
IKWH60N65WR6XKSA1
ab € 2,64*
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 Stück
Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 64A; 366W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anschaltzei...
Microchip Technology
APT50GN60BDQ3G
ab € 12,73*
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 Stück
Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 650 V 176 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 176 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der reversierende bipolare ...
Infineon
IHW30N65R5XKSA1
ab € 1,72*
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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 300W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 32A Kollektorstrom im Impuls: 230A Anschaltzeit: 239ns Ausschal...
IXYS
IXGT32N120A3
ab € 6,13*
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 Stück
Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 62 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO220 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...
Infineon
IKP39N65ES5XKSA1
ab € 2,01*
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