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ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1263073-BP
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     BSS123
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 73 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 170 mA · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 2.5 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 170 mA · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 2 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
ON Semiconductor
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
ON Semiconductor
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-23-3
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
OnS
Typ (Hersteller-Typ):
BSS123
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
73 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
170 mA
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
360 mW
Q(G):
2.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
170 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
1 mA
U(DSS):
100 V
U(GS)(th) max.:
2 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
100 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, feldeffekttransistor, mosfet 100v, ON Semiconductor, BSS123, 671-0321, BSS123NCT-ND
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