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onsemi BSS123LT1G N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23


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onsemi BSS123LT1G N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     108EL-1032944
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     BSS123LT1G
EAN/GTIN:
     5059042360202
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 170 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.8V
Verlustleistung max. = 225 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 0.94mm

N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
170 mA
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
6 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.8V
Verlustleistung max.:
225 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1mm
Höhe:
0.94mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, 1032944, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, BSS123LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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