Vishay SIHG20N50C-E3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 20 A 250 W, 3-Pin TO-247AC

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.31mm
Höhe = 20.82mm

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor