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Infineon OptiMOS™ BSS123NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23


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Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     108EL-1655862
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSS123NH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     5059043207247
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 190 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.3mm
Höhe = 1mm

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
190 mA
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
OptiMOS™
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
10 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.8V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.8V
Verlustleistung max.:
500 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
1.3mm
Höhe:
1mm
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet sot-23, 1655862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSS123NH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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