N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierun...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT89-3 Drain-Source Spannung: 450V Widerstand im Leitungszustand: 20Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: unipolar ...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 700V Widerstand im Leitungszustand: 42Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Ve...

Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: LF (MO235B similar) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Polar...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 41,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbra...

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 106W Polarisier...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 59A Widerstand im Leitungszustand: 13,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlust...

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 5,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W Polarisierung: ...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 3,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Po...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Ve...

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 25,7A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 5W Polarisierung: unipolar V...

Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 19A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisi...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36,7W ...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 1,16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...