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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.839 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...
Vishay
SIHB4N80E-GE3
ab € 0,968*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,52Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFT20N80P
ab € 3,98*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 80A; 403W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,43Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 403W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8043SFLLG
ab € 19,56*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 650W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXFT24N80P
ab € 7,88*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,1A; 37W; PG-TO252-3 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,1A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 37W Pol...
Infineon
IPD80R1K2P7ATMA1
ab € 0,39*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,1A; 6,8W; PG-SOT223 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-SOT223 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,1A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 6,8W Pol...
Infineon
IPN80R1K2P7ATMA1
ab € 0,38*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 62,5W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: ...
Vishay
SIHD6N80AE-GE3
ab € 0,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,3A; 125W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,3A Widerstand im Leitungszustand: 1,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisier...
ST Microelectronics
STB7NK80ZT4
ab € 0,95*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,4A; 110W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,4A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisie...
Taiwan Semiconductor
TSM80N1R2CP ROG
ab € 1,93*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,4A; Idm: 15A; 78W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,4A Widerstand im Leitungszustand: 940mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung: un...
Vishay
SIHD6N80E-GE3
ab € 0,83*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,8A; 110W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,8A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisieru...
ST Microelectronics
STD7N80K5
ab € 1,014*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,8A; 110W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisi...
Taiwan Semiconductor
TSM80N950CP ROG
ab € 1,72*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,9A; 45W; PG-TO252-3 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Pol...
Infineon
IPD80R900P7ATMA1
ab € 0,45*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,9A; 7W; PG-SOT223 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-SOT223 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 7W Polar...
Infineon
IPN80R900P7ATMA1
ab € 0,43*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4,6A; 7,2W; PG-SOT223 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-SOT223 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 7,2W Po...
Infineon
IPN80R750P7ATMA1
ab € 0,50*
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