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  MOSFET Transistormodule (102 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 200V; 100A; SOT227B; schraubbar; 735W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 420ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN110N20L2
ab € 40,53*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 115A; SOT227B; schraubbar; 680W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 115A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN140N20P
ab € 18,64*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 160A; SOT227B; schraubbar; 390W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 128ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 160A Widerstand im Leitungszustand: 6,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN220N20X3
ab € 25,33*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 220A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN230N20T
ab € 29,53*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 300A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 172ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN300N20X3
ab € 42,48*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 250V; 146A; SOT227B; schraubbar; 390W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 135ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 146A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN170N25X3
ab € 27,10*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 250V; 168A; SOT227B; schraubbar; 900W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 168A Widerstand im Leitungszustand: 12,9mΩ Verlustl...
IXYS
IXFN180N25T
ab € 16,65*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 250V; 240A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 165ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 240A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN240N25X3
ab € 34,47*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 250V; 90A; SOT227B; schraubbar; 735W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 266ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleis...
IXYS
IXTN90N25L2
ab € 35,83*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 110A; SOT227B; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN140N30P
ab € 22,80*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 130A; SOT227B; schraubbar; 900W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN160N30T
ab € 21,78*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 192A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 192A Widerstand im Leitungszustand: 14,5mΩ Verlustl...
IXYS
IXFN210N30P3
ab € 33,81*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 210A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 190ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 210A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN210N30X3
ab € 33,31*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 80A; SOT227B; schraubbar; 735W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 485ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 38mΩ Verlustleis...
IXYS
IXTN80N30L2
ab € 27,07*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 86A; SOT227B; schraubbar; 570W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 86A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN102N30P
ab € 21,02*
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