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  MOSFET Transistormodule (336 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 500V; 65A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 65A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100M50J
ab € 48,43*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustleistung: 520...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JLL
ab € 48,25*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 47A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 520...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010JFLL
ab € 48,17*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 37A; SOT227B; schraubbar; 780W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN44N80Q3
ab € 47,96*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; schraubbar; 450W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Verlustleistung: 45...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080JVFR
ab € 47,93*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 31A; ISOTOP; schraubbar; 375W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Verlustleistung: 37...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6017JFLL
ab € 47,91*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 960W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN44N100Q3
ab € 47,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 46A; SOT227B; schraubbar; 700W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 0,6µs Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 46A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Verlustlei...
IXYS
IXTN46N50L
ab € 45,86*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 49A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 49A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN62N80Q3
ab € 45,79*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,7µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 3,6Ω Verlustle...
IXYS
IXTN8N150L
ab € 45,72*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 82A; SOT227B; schraubbar; 960W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 82A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN100N50Q3
ab € 45,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 17A; ISOTOP; schraubbar; 463W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 17A Widerstand im Leitungszustand: 670mΩ Verlustleistung: 4...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067JFLL
ab € 45,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN82N60Q3
ab € 45,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 210A; SOT227B; schraubbar; 800W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 210A Widerstand im Leitungszus...
DACO Semiconductor
DAMI280N200
ab € 45,50*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 44A; SOT227B; schraubbar; 380W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 800ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 74mΩ Verlustleis...
IXYS
IXKN45N80C
ab € 45,09*
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