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  MOSFET Transistormodule (337 Artikel)

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Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 290W El...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50N60JCCU2
ab € 39,00*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Verlustleistung: 250W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45BT3G
ab € 99,89*
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 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...
IXYS
VUM33-06PH
ab € 51,88*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustleistung: 462W Elek...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60DHM24T3G
ab € 104,90*
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 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 72A; SP4; Steckverbinder FASTON (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ Verlustleistung: 416W Elekt...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60AM35SCTG
ab € 124,40*
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 Stück
Modul; Diode/Transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Gehäuse: PIM20 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 149A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 352W Elektrische Monta...
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
ab € 279,94*
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 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 138A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Verlustleistung: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC130SM120JCU2
ab € 126,01*
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 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 138A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Verlustleistung: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC130SM120JCU3
ab € 125,36*
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 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 42A; SP1; Press-in PCB; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1 Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Verlustleistung: 250W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTMC120AM55CT1AG
ab € 240,47*
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 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU3
ab € 56,61*
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 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU2
ab € 56,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SOT227B; schraubbar; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 3...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC70SM120JCU2
ab € 82,29*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SOT227B; schraubbar; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 3...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC70SM120JCU3
ab € 82,35*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1F Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 395W...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSCSM120AM31CT1AG
ab € 142,55*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3F Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 38A Kollektor-Emitter-Strom: 50A Widerstand im Leitungszustand...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTCV60HM45RCT3G
ab € 105,95*
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