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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 800V; 60A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M80J
ab € 81,02*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 205ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN110N85X
ab € 53,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 65A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 65A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN66N85X
ab € 32,37*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 90A; SOT227B; schraubbar; 1200W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN90N85X
ab € 41,40*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 109A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 109A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
IXFN130N90SK
ab € 146,92*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 33A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN40N90P
ab € 29,89*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 43A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN52N90P
ab € 35,28*
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Modul; einzelner Transistor; 900V; 56A; SOT227B; schraubbar; 1000W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 0,145Ω Verlustle...
IXYS
IXFN56N90P
ab € 51,94*
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