800v mosfet günstig kaufen bei Mercateo (Seite 10/27)

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MOSFET, N-Kanal, 800V, 62A, ISOPLUS264 (2 Angebote)

MOSFET, Typ=IXFB62N80Q3, Abfallzeit=11 ns, Anstiegzeit=20 ns, Ausschaltverzögerung=62 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, Einsch...

IXYS

IXFB62N80Q3

ab € 30,40*
pro Stück

Infineon IPU80R900P7 Transistor 500 V (3 Angebote)

Infineon

IPU80R900P7AKMA1

ab € 0,503*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W (1 Angebot)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Polarisier...

ST Microelectronics

STP10N80K5

ab € 1,95*
pro Stück

Infineon IPAN80R280P7 Transistor 600 V (2 Angebote)

Infineon

IPAN80R280P7XKSA1

ab € 1,51*
pro Stück

Infineon IPN80R2K4P7 Transistor 600 V (2 Angebote)

Infineon

IPN80R2K4P7ATMA1

ab € 0,26*
pro Stück

Infineon IPP80R360P7 Transistor 900 V (2 Angebote)

Infineon

IPP80R360P7XKSA1

ab € 0,87*
pro Stück

Infineon IPU80R4K5P7 Transistor 800 V (2 Angebote)

Infineon

IPU80R4K5P7AKMA1

ab € 0,34*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 560ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 3,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W...

IXYS

IXTA4N80P

ab € 1,34*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 560ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 3,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 10...

IXYS

IXTP4N80P

ab € 1,27*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3 (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 720mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W Polarisierung: unipola...

IXYS

IXFH14N80P

ab € 4,23*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 40A; 625W; 250ns (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS264™ Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung...

IXYS

IXFL60N80P

ab € 20,82*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 1,44Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W ...

IXYS

IXFA7N80P

ab € 1,85*
pro Stück

Infineon IPD80R2K4P7 Transistor 800 V (2 Angebote)

Infineon

IPD80R2K4P7ATMA1

ab € 0,29*
pro Stück

Infineon IPD80R900P7 Transistor 800 V (2 Angebote)

Infineon

IPD80R900P7ATMA1

ab € 0,45*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3 (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W Polarisierung: unipola...

IXYS

IXFH12N80P

ab € 3,58*
pro Stück

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