Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.851 Angebote unter 29.363.801 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „MOSFET“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"MOSFET"

Überbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W ...
Infineon
IPW65R280C6FKSA1
ab € 1,57*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 6 A 28V 24-Pin PowerSSO (2 Angebote) 
Ausgangsstrom = 6 A Versorgungsspannung = 28V Pinanzahl = 24 Gehäusegröße = PowerSSO Anzahl der Ausgänge = 3 Topologie = Hochspannungsseite Anzahl der Treiber = 1 Montage-Typ = SMD Automobilstandar...
ST Microelectronics
VNQ5E160KTR-E
ab € 2,23*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 33,2W; TO220F (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO220F Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33,2W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
12N65
ab € 0,35*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin H2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = H2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,067 Ω Channel-Modus = Enhance...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
ab € 11,05*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPD038N06N3GATMA1
ab € 0,59*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics SCTH70N SCTH70N120G2V-7, SMD MOSFET 1200 V / 90 A, 7-Pin H2PAK-7 (2 Angebote) 
Dauer-Drainstrom max. = 90 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Serie = SCTH70N Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,21 O Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V Anzahl der ...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
ab € 28,82*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 0,35µs Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3...
IXYS
IXTA20N65X
ab € 4,86*
pro Stück
 
 Stück
Taiwan Semiconductor TSM025 TSM048NB06LCR MOSFET 60 V / 107 A, 8-Pin PDFN56 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 107 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TSM025 Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 4,8 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Tra...
Taiwan Semiconductor
TSM048NB06LCR
ab € 4.386,45*
pro 2.500 Stück
 
 Packung
Infineon
IPA65R065C7XKSA1
ab € 7,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,1A; 104W; PG-VSON-4 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W P...
Infineon
IPL65R310E6AUMA1
ab € 1,32*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics SCTH60N120G2-7 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 60 A, 7-Pin H2PAK-7 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = H2PAK-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,052 Ω Channel-Modus = Enhanc...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
ab € 18,27*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPI040N06N3GXKSA1
ab € 0,73*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220FP Bereitschaftszeit: 0,35µs Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 6...
IXYS
IXTP20N65XM
ab € 4,83*
pro Stück
 
 Stück
Taiwan Semiconductor TSM025 TSM055N03PQ56 MOSFET 30 V / 80 A, 8-Pin PDFN56 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PDFN56 Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2....
Taiwan Semiconductor
TSM055N03PQ56
ab € 1.619,875*
pro 2.500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17,5A; 34W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 17,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 34W Pola...
Infineon
IPA65R190CFDXKSA1
ab € 2,55*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1281   1282   1283   1284   1285   1286   1287   1288   1289   1290   1291   ..   1724   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema MOSFET
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.