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  MOSFET  (25.851 Angebote unter 29.363.801 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 171W Pol...
Infineon
IPB65R065C7ATMA1
ab € 6,26*
pro Stück
 
 Stück
Texas Instruments CSD17308Q3T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSON-CLIP (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = VSON-CLIP Montage-Typ = SMD
Texas Instruments
CSD17308Q3T
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,9A; Idm: 28A; 46W; TO220F (1 Angebot) 
Hersteller: BRIDGELUX Montage: THT Gehäuse: TO220F Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3,9A Widerstand im Leitungszustand: 1,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 46W Polarisierung: unip...
Bridgelux
BXP7N65CF
ab € 0,33*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO262-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W ...
Infineon
IPI65R280E6XKSA1
ab € 1,34*
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 Stück
STMicroelectronics STB11NM80T4 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = E...
ST Microelectronics
STB11NM80T4
ab € 3.683,21*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 164ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540...
IXYS
IXFP34N65X2
ab € 3,73*
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 Stück
Texas Instruments CSD17483F4T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A PICOSTAR (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PICOSTAR Montage-Typ = SMD
Texas Instruments
CSD17483F4T
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 4,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CI
ab € 0,105*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO3P; 400ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 400ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 135mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W ...
IXYS
IXTQ32N65X
ab € 4,03*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W ...
Infineon
IPB65R280E6ATMA1
ab € 1,33*
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STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung m...
ST Microelectronics
STB18N60M6
ab € 1.124,85*
pro 1.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 278W Pol...
Infineon
IPB65R099C6ATMA1
ab € 4,13*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 4,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polarisierung...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CP
ab € 0,0843*
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 Stück
STMicroelectronics SCTH40N SCTH40N120G2V-7, SMD MOSFET 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7 (2 Angebote) 
Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Serie = SCTH40N Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,105 O Gate-Schwellenspannung max. = 5V Anzahl der E...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
ab € 11,09*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 16,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W ...
Infineon
IPD65R250E6XTMA1
ab € 1,34*
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