Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.851 Angebote unter 29.363.795 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „MOSFET“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"MOSFET"

Überbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,58Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F80S
ab € 8,11*
pro Stück
 
 Stück
Toshiba TK TK10J80E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = TK Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwel...
Toshiba
TK10J80E
ab € 48,03*
pro 25 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 66ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 66ns Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 230A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
IXYS
IXTA230N075T2
ab € 3,45*
pro Stück
 
 Stück
Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,63e+007 Ω Gate-Schwellenspannung...
Toshiba
SSM3J338R,LF(T
ab € 0,16*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,1A; Idm: 13,2A; 51W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2,1A Widerstand im Leitungszustand: 1,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 51W Polarisierung: unipo...
onsemi
FQPF6N80T
ab € 1,28*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IRFD9120PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A HVMDIP (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = HVMDIP Montage-Typ = THT
Vishay
IRFD9120PBF
ab € 0,56*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT11N80BC3G
ab € 4,20*
pro Stück
 
 Stück
Toshiba SSM3J338R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,63e+007 Ω Gate-Schwellenspannung...
Toshiba
SSM3J338R,LF(T
ab € 334,71*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,42Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W Polarisierung: uni...
IXYS
IXFR24N80P
ab € 8,16*
pro Stück
 
 Stück
Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = TK090A65Z Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspann...
Toshiba
TK090A65Z,S4X(S
ab € 206,65*
pro 50 Stück
 
 Packung
Toshiba SSM3J356R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4e+008 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
Toshiba
SSM3J356R,LF(T
ab € 0,124*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 530mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18M80B
ab € 6,76*
pro Stück
 
 Stück
Toshiba SSM3J356R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4e+008 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
Toshiba
SSM3J356R,LF(T
ab € 274,53*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 85A; 625W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,43Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT22F80B
ab € 9,02*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO247-3; 77ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 77ns Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 400A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1kW...
IXYS
IXFH400N075T2
ab € 9,82*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1301   1302   1303   1304   1305   1306   1307   1308   1309   1310   1311   ..   1724   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema MOSFET
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.