Transistor  (24.788 Angebote unter 29.053.027 Artikeln)Zum Expertenwissen

Dauer-Kollektorstrom max. = 270 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Konfiguration = Single Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 5 Transistor-Kon...

IGBT, IXYH40N120B3, Littelfuse Extrem lichtdurchlässiger IGBT, optimiert für das Schalten mit 5-30 kHz bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Quadratischer RBSOA...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberk...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 349 W Gehäusegröße = TO-247AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...

IGBT, IXYH50N120C3D1, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Feat...

Quellstrom: 210 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 360 mA Treiberkonfigurat...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -1 A Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 1 W Gleichstromverstärkung min. = 100 Transistor-...

Thyristor, IXHH40N150HV, LITTELFUSE Thyristor mit sehr hoher Spannungs- und Strombelastbarkeit und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Anwendungen * Kapazitive...

Anzahl der Kanäle: 1 Kanäle Betriebstemperatur, max.: 125 °C Gate-Treiber: Isoliert IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgabeverzögerung: 485 ns Eingabeverzögerung: 500 ns Betriebstemperatur, min.: -4...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 25 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 45 Tra...

Thyristor, IXHX40N150V1HV, LITTELFUSE Ein Thyristor mit antiparalleler Diode hat eine sehr hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit und bietet Vorteile wie eine hohe Leistungsdichte und einen geringe...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA...

Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = Y4 M5 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 7 Transistor-Konfig...

IGBT, IXGH10N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage mit einer Schraube und Eignung für die Oberflächenmont...

Versorgungsspannung, max.: 5.5 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 36 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side IC-Gehäuse / Bauform: HSOIC Anzahl der Kanäle: 1 Kanäle Betriebstem...