Transistor  (24.788 Angebote unter 29.057.612 Artikeln)Zum Expertenwissen

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –15 A Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 83 W Gleichstromverstärkung min. = 20 Transis...

IGBT, IXGH16N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage mit einer Schraube und Eignung für die Oberflächenmontage...

Produktpalette: IHM-B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 1 kA IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sä...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 40 Tr...

IGBT, IXGT6N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit internationalem Standardgehäuse und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Anwendungen * Kondensator...

Quellstrom: 2.3 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 3.3 A Treibe...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Gleichstromverstärkung min. = 140 Transistor-...

IGBT, IXGT16N170A, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, geringen Leitungsverlusten und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Fe...

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 1.2 kA IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sätt...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 50 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 25 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-...

IGBT, IXGR16N170AH1, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit einer antiparallelen Sonic-Diode und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Siliziumchip...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5 V ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

IGBT, IXGN200N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Features * Isolationsspannung ...