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  Transistor  (24.754 Angebote unter 29.246.452 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Infineon IGBT / 150 A 20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FS150R12N3T7BPSA1
ab € 113,39*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 15 A ±20V max. , 650 V 33.3 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V Verlustleistung max. = 33.3 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IKA15N65H5XKSA1
ab € 1,10*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON FZ3600R17HP4HOSA2 IGBT-MODUL, 1.7KV, 3.6KA, 21KW, BOLZEN (1 Angebot) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Modul Dauer-Kollektorstrom: 3.6 kA IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sä...
Infineon
FZ3600R17HP4HOSA2
ab € 1.192,34*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 4 A ±20.0V max., 600 V 42 W TO-251 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20.0V Verlustleistung max. = 42 W Gehäusegröße = TO-251
Infineon
IGU04N60TAKMA1
ab € 0,44*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247-3 (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 227 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
Infineon
IGW30N65L5XKSA1
ab € 1,86*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FP150R12KT4BPSA1
ab € 172,85*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 62A; 543W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 62A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltzei...
Microchip Technology
APT40GP60BG
ab € 15,87*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 150 A ±20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW, 32-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
ab € 1.179,08*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 150 A 20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FP150R12N3T7PB11BPSA1
ab € 160,20*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW ECONOD N-Kanal (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = ECONOD Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = Dual
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
ab € 181,52*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 150 A 20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FS150R12N2T7B54BPSA1
ab € 1.659,6501*
pro 15 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 180A Anschaltze...
Infineon
IKW60N60H3FKSA1
ab € 5,01*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 160 A ±20V max., 600 V 714 W, 3-Pin PG-TO247-3-46 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-46 Pinanzahl = 3
Infineon
IKQ100N60TXKSA1
ab € 8,53*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; EAus: 0,09mJ; EEin: 0,12mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,7V Kollektor-Emitter-Strom: 6A K...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD6B60M1
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSC018NE2LS Transistor 25 V (2 Angebote)
Infineon
BSC018NE2LSATMA1
ab € 0,501*
pro Stück
 
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