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  N-Kanal-Transistoren SMD (1.249 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38,7A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 38,7A Widerstand im Leitungszustand: 20,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisier...
Vishay
SIR606BDP-T1-RE3
ab € 0,57*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 14,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierun...
Vishay
SIR876ADP-T1-GE3
ab € 0,615*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 45A; Idm: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung:...
Vishay
SIR108DP-T1-RE3
ab € 2.757,57*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5,5A; Idm: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 5,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 12,7W Polarisie...
Vishay
SIS698DN-T1-GE3
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 9,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUD70090E-GE3
ab € 0,906*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 9,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipola...
Vishay
SUM70090E-GE3
ab € 1.091,224*
pro 800 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 51,4A; Idm: 120A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 51,4A Widerstand im Leitungszustand: 12,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 71,4W Polarisier...
Vishay
SIR876BDP-T1-RE3
ab € 0,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55,9A; Idm: 120A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 55,9A Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...
Vishay
SISS5108DN-T1-GE3
ab € 0,652*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 58,8A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 58,8A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs...
Vishay
SIJ470DP-T1-GE3
ab € 1.858,47*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6,3A; Idm: 7A; 13W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 6,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 13W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIB456DK-T1-GE3
ab € 0,133*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR846DP-T1-GE3
ab € 4.015,17*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
Vishay
SIR804DP-T1-GE3
ab € 4.155,51*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar...
Vishay
SUM60N10-17-E3
ab € 916,824*
pro 800 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR870DP-T1-GE3
ab € 4.468,35*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: ...
Vishay
SIR846ADP-T1-GE3
ab € 3.483,69*
pro 3.000 Stück
 
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