Diodenmodule (1.844 Artikel)

Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,4kV Vorwärtsspannung max.: 1,39V Vorwärtsstrom: 80A Struktur des Halbleiters: doppelt unabhängig Bereitschaftszeit: 32ns Strom im max. Impul...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsstrom: 30A x2 Struktur des Halbleiters: doppelt unabhängig Einheitspreis: Nein Elektrische Montage: schraubbar Me...

Hersteller: VISHAY Gehäuse: D55/T-module Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,3V Vorwärtsstrom: 40A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impuls: 570A Einheitspreis: N...

Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 200V Vorwärtsspannung max.: 1,1V Vorwärtsstrom: 280A Struktur des Halbleiters: doppelt unabhängig Bereitschaftszeit: 45ns Strom im max. Impuls...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 2,55V Vorwärtsstrom: 28A x2 Struktur des Halbleiters: doppelt unabhängig Strom im max. Impuls: 210A Einheitspreis: ...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPACK1 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 140A Vorwärtsspannung max.: 1,55V Vorwärtsstrom: 80A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Strom i...

Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,4kV Vorwärtsspannung max.: 1,64V Vorwärtsstrom: 200A Struktur des Halbleiters: doppelt unabhängig Bereitschaftszeit: 40ns Einheitspreis: Nei...

Hersteller: POWERSEM Gehäuse: TO240AA Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 120A Vorwärtsspannung max.: 1,38V Vorwärtsstrom: 36A x2 Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Strom im max. ...

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: F2N Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,35V Vorwärtsstrom: 100A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Bereitschaftszeit: 55ns Strom im ma...

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: F2 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,6V Vorwärtsstrom: 150A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Bereitschaftszeit: 50ns Strom im max....

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: F2N Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,3V Vorwärtsstrom: 100A Struktur des Halbleiters: gemeinsame Anode;doppelt Bereitschaftszeit: 50ns Strom...

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: F2 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,6V Vorwärtsstrom: 150A Struktur des Halbleiters: gemeinsame Kathode;doppelt Bereitschaftszeit: 50ns Stro...

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: F2 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,6V Vorwärtsstrom: 150A Struktur des Halbleiters: gemeinsame Anode;doppelt Bereitschaftszeit: 50ns Strom ...

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: F2N Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,3V Vorwärtsstrom: 100A Struktur des Halbleiters: gemeinsame Kathode;doppelt Bereitschaftszeit: 55ns Str...

Hersteller: IXYS Gehäuse: TO240AA Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 100A Vorwärtsspannung max.: 1,26V Vorwärtsstrom: 59A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Strom im max. Impuls:...