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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 650V; 108A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 220ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN120N65X2
ab € 39,72*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 145A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 190ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 145A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN150N65X2
ab € 39,45*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 170A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 270ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 170A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN170N65X2
ab € 37,83*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 55,7A; ISOTOP; schraubbar; 494W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 55,7A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustleistung: 494W...
ST Microelectronics
STE88N65M5
ab € 30,56*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 76A; SOT227B; schraubbar; 595W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 450ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 76A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustleis...
IXYS
IXTN102N65X2
ab € 22,77*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 78A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 78A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN100N65X2
ab € 25,43*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 90A; ISOTOP; schraubbar; 679W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Verlustleistung: 679W P...
ST Microelectronics
STE145N65M5
ab € 36,75*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 70V; 340A; SOT227B; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 70V Drainstrom: 340A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleist...
IXYS
IXFN340N07
ab € 40,73*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 75V; 225A; SOT227B; schraubbar; 735W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 206ns Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 225A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Verlustleist...
IXYS
IXTN240N075L2
ab € 43,88*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 75V; 480A; SOT227B; schraubbar; 940W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 480A Widerstand im Leitungszustand: 1,9mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN520N075T2
ab € 23,46*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 19A; ISOTOP; schraubbar; 543W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 19A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 54...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT29F80J
ab € 34,64*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 20A; ISOTOP; schraubbar; 543W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Verlustleistung: 54...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT32M80J
ab € 31,81*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 25A; ISOTOP; schraubbar; 450W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω Verlustleistung: 450...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030JVFR
ab € 38,94*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 29A; ISOTOP; schraubbar; 460W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleistung: 46...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8024JLL
ab € 37,28*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 29A; ISOTOP; schraubbar; 460W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Verlustleistung: 46...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8024JFLL
ab € 44,75*
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