Kategorien
Deutschland
Deutsch
Konto
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > Transistor

  transistor 30v  (960 gefilterte Angebote unter 29.435.619 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Transistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"Transistor"

Überbegriffe
Unterbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 6,95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 44,4W Polaris...
Vishay
SISF06DN-T1-GE3
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
ab € 0,641*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
ab € 0,502*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
ab € 0,70*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 6,8/1,75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 26,6/60W Polarisierun...
Vishay
SIZF916DT-T1-GE3
ab € 0,589*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,3/1,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 38/83W Polarisierung: un...
Vishay
SIZF906ADT-T1-GE3
ab € 2.508,60*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 6,8/2,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 26,6/50W Polarisierung...
Vishay
SIZF918DT-T1-GE3
ab € 0,593*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 54,8/197A Widerstand im Leitungszustand: 7,12/1,72mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 20/66W Polarisier...
Vishay
SIZ980BDT-T1-GE3
ab € 0,658*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16/28A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 16/28A Widerstand im Leitungszustand: 14,5/4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 29/100W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SIZ918DT-T1-GE3
ab € 0,613*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 15,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...
Vishay
SIZ342DT-T1-GE3
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 100A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9,44mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackun...
Vishay
SIZ350DT-T1-GE3
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12/16A; 20/30W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12/16A Widerstand im Leitungszustand: 30/17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 20/30W Polarisierung: unipolar Verp...
Vishay
SIZ704DT-T1-GE3
ab € 2.171,55*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36/69,3A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 36/69,3A Widerstand im Leitungszustand: 14,03/6,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7/31W Polarisierung: unipo...
Vishay
SIZ340BDT-T1-GE3
ab € 0,267*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 28/11A Widerstand im Leitungszustand: 16,5/32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31/16,7W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SIZ300DT-T1-GE3
ab € 1.914,84*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   64   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Transistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.