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  transistor 30v  (957 gefilterte Angebote unter 28.599.769 Artikeln)Zum Expertenwissen

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 86A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 79W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRFR3709ZTRRPBF
ab € 1.455,90*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 89A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRLR8103VTRPBF
ab € 849,46*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9,1A; Idm: 88A; 1,6W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9,1A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisi...
Infineon
IRF8707TRPBF
ab € 0,16*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9,4A; 8W; DFN3x3 EP (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN3x3 EP Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9,4A Widerstand im Leitungszustand: 9,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 8W...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7506
ab € 0,0922*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1,52W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,52W Polarisierung...
Diodes
DMN4468LSS-13
ab € 0,124*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 8,6/-7,3A; 2W; SO8 (5 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30/-30V Drainstrom: 8,6/-7,3A Widerstand im Leitungszustand: 28,8/24,3mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisie...
onsemi
FDS8858CZ
ab € 0,33*
pro Stück
 
 Stück
BC549C Transistor NPN 30 V (1 Angebot) 
Transistor, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 30 V, Transitfrequenz: 3
k.A.
17103980
ab € 0,0813*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SI7121ADN-T1-GE3 IGBT (3 Angebote) 
IGBT
Vishay
SI7121ADN-T1-GE3
ab € 0,20*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
ab € 0,494*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
ab € 0,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40/60A Widerstand im Leitungszustand: 6,8/1,75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 26,6/60W Polarisierun...
Vishay
SIZF916DT-T1-GE3
ab € 0,579*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 5,3/1,58mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 38/83W Polarisierung: un...
Vishay
SIZF906ADT-T1-GE3
ab € 2.529,63*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42,1W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 142,6A Widerstand im Leitungszustand: 2,19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 42...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
ab € 0,54*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 17,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 17,7W...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 32W Polaris...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
ab € 0,334*
pro Stück
 
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