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  Transistor  (24.672 Angebote unter 29.000.735 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 1kW (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-4 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektor...
Infineon
FS200R12KT4RB11BOSA1
ab € 320,57*
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 Stück
ROHM IGBT / 55 ±30V max. , 650 V 1,94 mW To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 55 Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 1,94 mW Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
ab € 1,96*
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 Stück
ROHM UM2222AU3T106 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 600 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
UM2222AU3T106
ab € 0,0409*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 500W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 108A Kollektorstrom im Impuls: 300A...
IXYS
MIXA100W1200TEH
ab € 132,45*
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 Stück
STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max. , 1200 V 535 W Max. 247 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = Max. 247
ST Microelectronics
STGYA50M120DF3
ab € 5,25*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 56A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 56A Kollektorstrom im Impuls: 100A ...
IXYS
MWI80-12T6K
ab € 77,98*
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 Stück
STMicroelectronics IGBT / 60 A 20V max. , 650 V 260 W H2PAK-2 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 260 W Gehäusegröße = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
ab € 1,90*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 675W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 115A Kollektorstrom im Impuls: 400A...
IXYS
MWI200-06A8
ab € 128,44*
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STMicroelectronics IGBT / 80 A 20V max., 1,65 V 535 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1,65 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGWA80H65DFBAG
ab € 4,46*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: package W Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 30...
IXYS
MG12150W-XN2MM
ab € 215,94*
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 Stück
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V, TSSOP 16-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = TSSOP Pinanzahl = 16 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Texas Instruments
ULN2003AIPWR
ab € 0,18*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 690W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 300A...
IXYS
MWI150-12T8T
ab € 233,24*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 60A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 100A ...
IXYS
MWI50-12A7T
ab € 118,68*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 640W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 200A...
IXYS
MWI100-12A8
ab € 201,43*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 12A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 12A Kollektorstrom im Impuls: 30A A...
IXYS
MIXA10W1200TML
ab € 16,77*
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