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  Transistor  (24.754 Angebote unter 29.426.592 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GN120JDQ4
ab € 54,01*
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ROHM DTB543EE3TL SMD, PNP Digitaler Transistor / –500 mA, SOT-416 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Gehäusegröße = SOT-416 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
DTB543EE3TL
ab € 0,145*
pro Stück
 
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1200G330100
ab € 1.933,13*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTD513ZE3TL SMD, NPN Digitaler Transistor / 500 mA, SOT-416 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Gehäusegröße = SOT-416 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
DTD513ZE3TL
ab € 0,0521*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 85A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT85GR120JD60
ab € 38,84*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ein...
ABB
5SNA 3000K452300
ab € 7.153,24*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 79A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60GF120JRD
ab € 72,00*
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ROHM DTC113ZU3HZGT106 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTC113ZU3HZGT106
ab € 0,031*
pro Stück
 
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1200G450350
ab € 1.889,30*
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ROHM DTD543EE3TL SMD, NPN Digitaler Transistor / 500 mA, SOT-416 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Gehäusegröße = SOT-416 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
DTD543EE3TL
ab € 0,0519*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 90A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 90A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT150GT120JR
ab € 60,65*
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ROHM DTC123JU3T106 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTC123JU3T106
ab € 0,0206*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 100A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT200GT60JR
ab € 44,99*
pro Stück
 
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ROHM DTC123YU3T106 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTC123YU3T106
ab € 0,0205*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 85A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 85A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT85GR120J
ab € 33,73*
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