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  Transistor  (24.754 Angebote unter 29.426.592 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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ROHM DTA114YU3T106 SMD, PNP Digitaler Transistor -50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTA114YU3T106
ab € 0,0206*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 17A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 17A Kollektorstrom im Impuls: 30A ...
Powersem
PSIS 25/06
ab € 8,29*
pro Stück
 
 Stück
Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 1500 V Gehäusegröße = SC-65 Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspan...
Renesas Electronics
2SK1317-E
ab € 105,99*
pro 30 Stück
 
 Packung
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP6C Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Imp...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT300SK170G
ab € 237,61*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 200 A ±20V max., 1200 V 1,07 kW, 3-Pin TO247-3LD N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1,07 kW Gehäusegröße = TO247-3LD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pina...
onsemi
FGY100T120RWD
ab € 11,70*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; AG-62MM (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom...
Infineon
FZ400R12KS4HOSA1
ab € 109,91*
pro Stück
 
 Stück
ROHM 2SC5876U3T106 SMD, NPN Transistor 60 V / 500 mA, SOT-323 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
2SC5876U3T106
ab € 0,0883*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 21A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls: 40A Anwend...
IXYS
MUBW25-06A6K
ab € 22,02*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anwen...
IXYS
VUB135-22NO1
ab € 120,07*
pro Stück
 
 Stück
onsemi MJK31CTWG SMD, NPN Bipolarer Transistor 100 V dc / 3 A, LFPAK4 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V dc Gehäusegröße = LFPAK4 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
onsemi
MJK31CTWG
ab € 0,77*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 57A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GP120J
ab € 42,15*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 84A Kollektorstrom im Impuls: 225A Anwen...
IXYS
VUB116-16NOXT
ab € 80,66*
pro Stück
 
 Stück
ROHM 2SCR574D3TL1 SMD, NPN Transistor 80 V / 2 A, TO-252 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
2SCR574D3TL1
ab € 0,24*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 35A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im Impuls: 60A Anwend...
IXYS
MUBW30-06A7
ab € 51,93*
pro Stück
 
 Stück
ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3) (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –2,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = -120 V Gehäusegröße = DFN2020-3S (Huml2020L3) Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120
ROHM Semiconductor
2SAR567F3TR
ab € 0,46*
pro Stück
 
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