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Nexperia 2N7002,215 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23


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Nexperia 2N7002,215 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     108EL-1038398
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     2N7002,215
EAN/GTIN:
     5059043414768
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 300 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 830 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –65 °C

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
300 mA
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
5 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
830 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur min.:
–65 °C
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet sot-23, feldeffekttransistor, mosfet 60v, 1038398, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, 2N7002,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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