Infineon OptiMOS™ 5 IPC100N04S5L1R1ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = OptiMOS™ 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0011 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20 V, 30V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2

Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 20 V bis 40 V für die Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen, um eine Reihe von Anforderungen zu erfüllen und RDS(on) bis hinunter auf 0,6 mEc zu erreichen. Die neue OptiMOS 6- und OptiMOS5 40-V-Benchmark-MOSFET-Technologie ermöglicht niedrige Leitungsverluste (Beste RDSon Leistung der Klasse), geringe Schaltverluste (verbessertes Schaltverhalten), verbesserte Diodenwiederherstellung und EMV-Verhalten. Diese MOSFET-Technologie wird in den Advanced- und innovativen Gehäusen eingesetzt, um die besten Produktleistungen und -qualität zu erreichen. Für ultimative Entwurfsflexibilität sind Kfz-qualifizierte MOSFETs in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, um eine Vielzahl von Anforderungen zu erfüllen. Infineon bietet seinen Kunden eine kontinuierliche Verbesserung der Strombelastbarkeit, des Schaltverhaltens, der Zuverlässigkeit, der Gehäusegröße und der Gesamtqualität. Die neu entwickelte integrierte Halbbrücke ist eine innovative und kostengünstige Paketlösung für Motorantriebe und Gehäuseanwendungen.OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen N-Kanal - Erweiterungsmodus - Logikpegel MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur