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  MOSFET Transistormodule (102 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 150V; 240A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 240A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN240N15T2
ab € 29,37*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 310A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 310A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN360N15T2
ab € 35,34*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 400A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 132ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 400A Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN400N15X3
ab € 36,59*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 170V; 260A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 170V Drainstrom: 260A Widerstand im Leitungszustand: 5,2mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN320N17T2
ab € 36,54*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 22A; SOT227B; schraubbar; 700W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Verlustleistun...
IXYS
IXTN22N100L
ab € 44,36*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN26N100P
ab € 43,42*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 568W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN24N100
ab € 33,23*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 27A; SOT227B; schraubbar; 690W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100P
ab € 27,16*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; SOT227B; schraubbar; 780W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100Q3
ab € 53,06*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 800W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Verlustleistu...
IXYS
IXTN30N100L
ab € 64,95*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN36N100
ab € 57,48*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN44N100P
ab € 32,51*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 1000W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN38N100P
ab € 40,51*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 38A; SOT227B; schraubbar; 960W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN44N100Q3
ab € 47,20*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 260ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN52N100X
ab € 39,40*
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