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  Transistor  (24.672 Angebote unter 28.994.678 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Impuls: 45A Anwend...
IXYS
MIXA20WB1200TED
ab € 64,53*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NJVMJK32CTWG SMD, PNP Bipolarer Transistor -100 V dc / 3 A, LFPAK4 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = -100 V dc Gehäusegröße = LFPAK4 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
onsemi
NJVMJK32CTWG
ab € 0,54*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
Microchip Technology
APT100GT120JU3
ab € 38,36*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD30PJX65L2S
ab € 23,19*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65L2S
ab € 24,58*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD110N12N3GATMA1 N-Kanal MOSFET Transistor / 75 A PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 75 A Gehäusegröße = PG-TO252-3
Infineon
IPD110N12N3GATMA1
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 220A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 220A Kollektorstrom im Impuls: 400A Anwen...
IXYS
MDI300-12A4
ab € 81,36*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NJVMJK45H11TWG SMD, PNP Bipolarer Transistor -80 V dc / 8 A, LFPAK4 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = -80 V dc Gehäusegröße = LFPAK4 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
onsemi
NJVMJK45H11TWG
ab € 0,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 12A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 12A Kollektorstrom im Impuls: 30A Anwend...
IXYS
MIXA10WB1200TML
ab € 19,93*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 50 A 15V max. Dual, 650 V 305 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
ab € 2,59*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L3.0 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PJX65L3S
ab € 38,76*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPP60R065S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 8 A TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT
Infineon
IPP60R065S7XKSA1
ab € 1.277,71*
pro 500 Stück
 
 Packung
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: C5 45mm Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIX65C5S
ab € 54,48*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPDQ60R040S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 14 A PG-HDSOP-22 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PG-HDSOP-22 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPDQ60R040S7XTMA1
ab € 3.241,035*
pro 750 Stück
 
 Packung
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 75A Anwend...
IXYS
MIXA30WB1200TED
ab € 62,45*
pro Stück
 
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