Transistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 1.260/1.645)

Bild

Artikel

Hersteller/-Nr.

Preis

Bestellen

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-UZ (1 Angebot)

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 75A Anwendung: Motoren;Wechselrichter Einheitspreis: N...

YANGJIE TECHNOLOGY

MG75UZ12GJ

ab € 18,70*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 67A; SOT227B (1 Angebot)

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 67A Kollektorstrom i...

Microchip Technology

APT100GT120JRDQ4

ab € 60,28*
pro Stück

onsemi NJVMJK44H11TWG SMD, NPN Bipolarer Transistor 80 V DC / 8 A, LFPAK4 4-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V DC Gehäusegröße = LFPAK4 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

onsemi

NJVMJK44H11TWG

ab € 0,52*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Angebot)

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom i...

Microchip Technology

APT70GR120J

ab € 29,19*
pro Stück

ROHM DTC123YU3T106 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

ROHM Semiconductor

DTC123YU3T106

ab € 0,0204*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Angebot)

Microchip Technology

APT100GN120JDQ4

ab € 54,48*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B (1 Angebot)

Microchip Technology

APT45GP120J

ab € 39,09*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A; GJ-U (1 Angebot)

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-U Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Imp...

YANGJIE TECHNOLOGY

MG75U12GJ

ab € 18,61*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 86A Einheitspreis: Nein Elektrische Montage: schraubbar Mechanisch...

IXYS

IXG70IF1200NA

ab € 19,75*
pro Stück

ROHM DTC143XU3HZGT106 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

ROHM Semiconductor

DTC143XU3HZGT106

ab € 0,0307*
pro Stück

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 79A; SOT227B (1 Angebot)

Microchip Technology

APT60GF120JRD

ab € 72,84*
pro Stück

ROHM 2SC5876U3T106 SMD, NPN Transistor 60 V / 500 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

ROHM Semiconductor

2SC5876U3T106

ab € 0,0613*
pro Stück