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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 220A Kollektorstrom im Impuls: 400A Anwen...
IXYS
MID300-12A4
ab € 140,00*
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Infineon IGBT-Treibermodul TTL 4 A 22V 8-Pin PG-DSO-8-60 10ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = TTL Ausgangsstrom = 4 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = PG-DSO-8-60ns
Infineon
2EDN7424FXTMA1
ab € 0,67*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU2
ab € 27,76*
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 Stück
Infineon IGBT-Treibermodul CMOS 8-Pin PG-DSO-8-59 9ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = PG-DSO-8-59ns
Infineon
XDPL8105XUMA1
ab € 0,60*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F4.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S
ab € 26,80*
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Infineon IGBT-Transistormodul / 40 A 15V max. Dual, 650 V 250 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Verlustleistung max. = 250 W Konfiguration = Single
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
ab € 4,23*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: C5 45mm Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIX65C5S
ab € 54,79*
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Infineon IPN50R3K0CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 500 V / 1,7 A, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPN50R3K0CEATMA1
ab € 0,18*
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Infineon IMI111T-026H Device Entwicklungsbausatz Spannungsregler, EVAL-IMI111T-026 IGBT (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT Zum Einsatz mit = IMI111T iMOTION IPMs Kit-Klassifizierung = Motorsteuerungsplatine Vorgestelltes Gerät = IMI111T-026H Device Kit-Name = EVAL-IMI111T-026
Infineon
EVALIMI111T026TOBO1
ab € 75,17*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S
ab € 24,26*
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Infineon
IPB180N10S402ATMA1
ab € 2,92*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: C5 45mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD40PIY120C5S
ab € 52,23*
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Infineon IGBT-Transistormodul PG-TO263-7 (2 Angebote) 
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
ab € 2,76*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper,NTC Thermistor; SP4 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT100SK170TG
ab € 112,52*
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Infineon IPP030N06NF2SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 119 A PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 119 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PG-TO220-3 Montage-Typ = THT
Infineon
IPP030N06NF2SAKMA1
ab € 0,67*
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