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  Transistor  (24.754 Angebote unter 29.426.652 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 84A Kollektorstrom im Impuls: 225A Anw...
IXYS
MIXA80R1200VA
ab € 20,12*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 84A Kollektorstrom im Impuls: 225A Einhe...
IXYS
MDMA210UB1600PTED
ab € 94,34*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 225 A ±20V max. Dual, 1700 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 225 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FF225R17ME7B11BPSA1
ab € 1.217,85*
pro 10 Stück
 
 Packung
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S
ab € 22,28*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Treibermodul TTL 4 A 22V 8-Pin PG-DSO-8-60 10ns (2 Angebote) 
Logik-Typ = TTL Ausgangsstrom = 4 A Versorgungsspannung = 22V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = PG-DSO-8-60ns
Infineon
2EDN7424FXTMA1
ab € 0,43*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 140A Kollektorstrom im Impuls: 300A Einh...
IXYS
MCMA240UI1600PED
ab € 100,66*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 460A Kollektorstrom im Impuls: 800A Anwen...
IXYS
MID550-12A4
ab € 187,91*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; THT (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 117A Kollektorstrom im Impuls: 200...
Powersem
PSSI 160/12
ab € 33,63*
pro Stück
 
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Infineon IGBT-Modul / 40 A, 70 A ±20V max. Quad, 650 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A, 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
DF200R07W2H3B77BPSA1
ab € 829,57005*
pro 15 Stück
 
 Packung
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L3.0 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120L3S
ab € 34,38*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB120N06S4-03 Transistor 55 V (2 Angebote)
Infineon
IPB120N06S403ATMA2
ab € 1,22*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Impuls: 2...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG10P12P2
ab € 13,42*
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 Stück
Infineon IGBT-Modul / 750 A ±20V max. Dual, 1700 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 750 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 2
Infineon
FF750R17ME7DB11BPSA1
ab € 2.449,78*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul AG-ECONO2B-411 (1 Angebot) 
Gehäusegröße = AG-ECONO2B-411
Infineon
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
ab € 1.826,1801*
pro 15 Stück
 
 Packung
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anwen...
IXYS
MID150-12A4
ab € 122,03*
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