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  Transistor  (24.788 Angebote unter 29.057.612 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 1200 V 267 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 267 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
ab € 3,66*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 90A; 2,8W; TO220AB (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,8W Polarisi...
Diodes
DMNH10H028SCT
ab € 0,67*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8 (2 Angebote) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: VSON-CLIP8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 12,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polari...
Texas Instruments
CSD19537Q3T
ab € 0,606*
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 Stück
ROHM IGBT / 75 A ±30V max. , 650 V 404 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65HRC11
ab € 6,05*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK (5 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 56A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Roll...
Infineon
IRFR3710ZTRPBF
ab € 0,67*
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STMicroelectronics IGBT-Modul 5V max. 6-fach, 600 V SDIP2B-26L Typ X N-Kanal (2 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = SDIP2B-26L Typ X Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = Isoliert De...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-X
ab € 11,06*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung: unipola...
Vishay
IRL510PBF
ab € 0,439*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 178 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
ab € 4,10*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 60ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W...
IXYS
IXTP44N10T
ab € 0,84*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC (7 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247AC Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 51A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 180W Polari...
Infineon
IRFP3710PBF
ab € 1,14*
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 Stück
ROHM IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 555 W, 3-Pin TO-247N (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 555 W Gehäusegröße = TO-247N Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2GC11
ab € 6,03*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO220-3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 12,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 94W Po...
Infineon
IPP126N10N3GXKSA1
ab € 0,70*
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 Stück
STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor-Array 1,6 V 500 mA HFE:1000, QFN48 48-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 1,6 V Basis-Emitter Spannung max. = 1,6 V Gehäusegröße = QFN48 Pinanzahl = 48 Anzahl der Elemente pro Chip = 5 G...
ST Microelectronics
ULN2003TTR
ab € 0,23*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 23W; TO220F (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220F Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF292L
ab € 1,75*
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 Stück
ROHM IGBT / 30 A ±30V max. , 650 V 178 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 178 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
ab € 3,76*
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