Transistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 858/1.651)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 60A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 320W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rol...

Infineon

IRFS52N15DTRRP

ab € 683,736*
pro 800 Stück

ROHM IMX25T110 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 20 V / 300 mA 10 MHz, SOT-457 6-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN/PNP DC Kollektorstrom max. = 300 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 20 V Gehäusegröße = SOT-457 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 820 T...

ROHM Semiconductor

IMX25T110

ab € 0,122*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 93ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40...

IXYS

IXTP130N15X4

ab € 3,66*
pro Stück

Vishay IGBT / 476 A ± 20V max. Dual, 650 V 1 kW, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal (2 Angebote)

Dauer-Kollektorstrom max. = 476 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 1 kW Gehäusegröße = INT-A-PAK Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...

Vishay

VS-GT200TS065S

ab € 95,32*
pro Stück

Infineon IPB083N10N3 G Transistor 75 V (3 Angebote)

Infineon

IPB083N10N3GATMA1

ab € 0,68*
pro Stück

STMicroelectronics IGBT / 40 A 20V max. , 650 V 147 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 147 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...

ST Microelectronics

STGWA20HP65FB2

ab € 1,87*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1,6A; 140W; TO220-3 (4 Angebote)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 1,6A Widerstand im Leitungszustand: 9Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polarisie...

ST Microelectronics

STP3N150

ab € 2,45*
pro Stück

ROHM SSTA06HZGT116 SMD, NPN Transistor 80 V / 500 mA, SOT-23 3-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 100 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pr...

ROHM Semiconductor

SSTA06HZGT116

ab € 0,031*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3 (1 Angebot)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 179W Po...

Infineon

IPB083N15N5LF

ab € 4,16*
pro Stück

Vishay IGBT / 68 A ± 20V max. , 1200 V 291 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 68 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 291 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N...

Vishay

VS-GT55LA120UX

ab € 246,63*
pro 10 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 107W; DPAK,TO252 (2 Angebote)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 107W Polarisierung: uni...

Vishay

SQD25N15-52_GE3

ab € 1,31*
pro Stück

STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 147 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 147 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach

ST Microelectronics

STGWA20H65DFB2

ab € 2,28*
pro Stück

Infineon IPP072N10N3 G Transistor 75 V (3 Angebote)

Infineon

IPP072N10N3GXKSA1

ab € 0,795*
pro Stück

ROHM VT6T1T2R SMD, PNP Transistor Dual –20 V / –200 mA, VT6T1 6-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –20 V Gehäusegröße = VT6T1 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente p...

ROHM Semiconductor

VT6T1T2R

ab € 0,052*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2,5A; 160W; TO220-3 (3 Angebote)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 2,5A Widerstand im Leitungszustand: 7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W Polarisie...

ST Microelectronics

STP4N150

ab € 3,13*
pro Stück

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