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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,1A; 39W; DPAK (5 Angebote) Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 9,1A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 39W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Roll... |
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ab € 0,32*
pro Stück |
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ROHM Semiconductor RGCL60TS60GC13 |
ab € 2,17*
pro Stück |
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ab € 0,41*
pro Stück |
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ab € 0,72*
pro Stück |
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ROHM Semiconductor SSTA56HZGT116 |
ab € 0,0407*
pro Stück |
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ab € 0,55*
pro Stück |
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ROHM Semiconductor RGS50TSX2DGC11 |
ab € 5,71*
pro Stück |
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ab € 0,63*
pro Stück |
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ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
ab € 1,54*
pro Stück |
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; 76ns (1 Angebot) Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024d Bereitschaftszeit: 76ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustl... |
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ab € 6,65*
pro Stück |
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ROHM Semiconductor UMB10NFHATN |
ab € 0,0813*
pro Stück |
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ab € 1,45*
pro Stück |
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 174 W To-247GE (1 Angebot) Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate |
ROHM Semiconductor RGTH50TS65DGC13 |
ab € 3,40*
pro Stück |
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Infineon IPD082N10N3GATMA1 |
ab € 0,77*
pro Stück |
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ab € 0,92*
pro Stück |
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