Transistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 860/1.653)

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ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 277 W Gehäusegröße = To-247GE

ROHM Semiconductor

RGTH00TS65DGC13

ab € 2.171,784*
pro 600 Stück

Infineon IRL100HS121 Transistor 100 V (2 Angebote)

Infineon

IRL100HS121

ab € 0,33*
pro Stück

ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 144 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 144 W Gehäusegröße = To-247GE

ROHM Semiconductor

RGTH40TS65DGC13

ab € 3,28*
pro Stück

Infineon IPP072N10N3 G Transistor 75 V (2 Angebote)

Infineon

IPP072N10N3GXKSA1

ab € 0,72*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263 (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 87A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: u...

Vishay

SUM110N10-09-E3

ab € 2,31*
pro Stück

ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 245 W Gehäusegröße = To-247GE

ROHM Semiconductor

RGWS00TS65DGC13

ab € 1.685,094*
pro 600 Stück

ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...

ROHM Semiconductor

RGW80TS65CHRC11

ab € 10,10*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P (1 Angebot)

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: NTE Electron...

NTE Electronics

NTE2967

ab € 7,47*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK (3 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 80A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 260W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rol...

Infineon

IRF8010STRLPBF

ab € 0,83*
pro Stück

ROHM IMX1T110 SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 150 mA, SOT-457 6-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 150 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-457 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente p...

ROHM Semiconductor

IMX1T110

ab € 0,0512*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 89A; Idm: 355A; 211W (1 Angebot)

Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 89A Widerstand im Leitungszustand: 23,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 211W Polarisieru...

Nexperia

PSMN9R5-100PS,127

ab € 1,44*
pro Stück

ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 214 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

ROHM Semiconductor

RGW80TS65EHRC11

ab € 5,13*
pro Stück

Infineon IPB083N10N3 G Transistor 75 V (3 Angebote)

Infineon

IPB083N10N3GATMA1

ab € 0,66*
pro Stück

Infineon IRFB4610 Transistor 40 V (6 Angebote)

Infineon

IRFB4610PBF

ab € 0,958*
pro Stück

ROHM SST4401HZGT116 SMD, NPN Transistor 3 40 V / 600 mA, SOT-23 (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 600 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 20 Anzahl der Elemente pro Chip = 3

ROHM Semiconductor

SST4401HZGT116

ab € 0,0307*
pro Stück

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