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Vishay IGBT / 139 A ± 20V max. , 1200 V 658 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 139 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 658 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT80DA120U
ab € 29,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisierung: un...
Vishay
SUM90N10-8M2P-E3
ab € 1,65*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 15 A 600V max., 600 V 0,07 mW, 26-Pin SDIP2B (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 600V Verlustleistung max. = 0,07 mW Gehäusegröße = SDIP2B Pinanzahl = 26 Transistor-Konfiguration = S...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-LZ
ab € 7,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 15A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 12V Drainstrom: 15A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRF7476TRPBF
ab € 1.256,64*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 90ns Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 325W...
IXYS
IXTP80N12T2
ab € 1,40*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 169 A ± 20V max. , 1200 V 781 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 169 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 781 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT90DA120U
ab € 30,69*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPI147N12N3GAKSA1
ab € 0,63*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = ECOPACK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = NPN Pinanza...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
ab € 2.552,90*
pro 200 Stück
 
 Packung
Infineon
IRFB4410ZPBF
ab € 0,76*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRF135B203
ab € 1,31*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 187 A ± 20V max. , 1200 V 890 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 187 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 890 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT100DA120UF
ab € 32,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 90ns Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 325W P...
IXYS
IXTA80N12T2
ab € 1,77*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 25 A ±20V max. , 1350 V 340 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 340 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = Bidirektiona...
ST Microelectronics
STGWA25IH135DF2
ab € 2,85*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPP114N12N3GXKSA1
ab € 1,09*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65GC13
ab € 1.471,83*
pro 600 Stück
 
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