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STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 1200 V 535 W Max247 lange Kabel (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 535 W Gehäusegröße = Max247 lange Kabel
ST Microelectronics
STGYA50H120DF2
ab € 5,16*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IPI530N15N3GXKSA1
ab € 0,57*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STL13N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 7 A 52 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 HV (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PowerFLAT 5 x 6 HV Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 415 mΩ Channel-Modus ...
ST Microelectronics
STL13N60M6
ab € 2.608,77*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Infineon
IRFB4019PBF
ab € 0,726*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRFP4568PBF
ab € 3,87*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STL26N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PowerFLAT 8 x 8 HV Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 215 mΩ Channel-Modus...
ST Microelectronics
STL26N60DM6
ab € 1,72*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 97ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 102A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 455...
IXYS
IXTP102N15T
ab € 2,79*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 6 A 600V max. 6-fach, 600 V 12,5 W, 26-Pin N2DIP-26L Typ Z (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 600V Verlustleistung max. = 12,5 W Gehäusegröße = N2DIP-26L Typ Z Pinanzahl = 26 Transistor-Konfigurat...
ST Microelectronics
STGIPQ4C60T-HZ
ab € 7,75*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 172mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 95W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDD2582
ab € 0,43*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STL45N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 25 A 160 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PowerFLAT 8 x 8 HV Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ Channel-Modus...
ST Microelectronics
STL45N60DM6
ab € 3,04*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 56,8W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDD770N15A
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 108 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 4 Die Serie STMicroelectronics IG...
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
ab € 2,95*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 146mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 135W Polarisierung: unipo...
onsemi
FDP2572
ab € 1,10*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STP26N65DM2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 25 A 160 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 190 μΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V...
ST Microelectronics
STP26N65DM2
ab € 84,50*
pro 50 Stück
 
 Packung
Infineon
IRFH5015TRPBF
ab € 0,792*
pro Stück
 
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