Transistor  (24.788 Angebote unter 29.053.027 Artikeln)Zum Expertenwissen

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 52mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 127W Polarisierung: unipolar...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = EMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN3.3x3.3 EP Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 12,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistun...

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS247™ Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 360A Widerstand im Leitungszustand: 2,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25kW Polarisierung: uni...

Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 98ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 320A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1kW ...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: NTE Electron...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = EMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 360A Widerstand im Leitungszustand: 2,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25kW Polarisierung: unipol...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 44mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polari...

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 115W Polarisieru...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = EMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Pol...