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  Transistor  (24.787 Angebote unter 29.149.252 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK2145-BL(TE85L,F), SMV 5-Pin (1 Angebot) 
Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 14mA Gate-Source Spannung max. = –50 V Gehäusegröße = SMV Pinanzahl = 5
Toshiba
2SK2145-BL(TE85L,F)
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB (4 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 310W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDP2532
ab € 2,13*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIA456DJ-T1-GE3 IGBT (1 Angebot) 
IGBT
Vishay
SIA456DJ-T1-GE3
ab € 4,07*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 66W Polarisierung: unipola...
onsemi
FQPF45N15V2
ab € 1,28*
pro Stück
 
 Stück
Toshiba TBC847B,LM(T SMD, NPN Transistor 50 V / 200 mA, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 200 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pr...
Toshiba
TBC847B,LM(T
ab € 0,0306*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IRF3415 Transistor 40 V (5 Angebote)
Infineon
IRF3415PBF
ab € 0,923*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SUD08P06-155L-GE3 IGBT (1 Angebot) 
IGBT
Vishay
SUD08P06-155L-GE3
ab € 11,17*
pro 20 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 180A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFK180N15P
ab € 11,38*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 139 A ± 20V max. , 1200 V 658 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 139 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 658 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT80DA120U
ab € 24,79*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 60A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 320W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rol...
Infineon
IRFS52N15DTRRP
ab € 681,864*
pro 800 Stück
 
 Packung
Vishay IGBT / 169 A ± 20V max. , 1200 V 781 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 169 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 781 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT90DA120U
ab € 25,44*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IRFB4615 Transistor 150 V (4 Angebote)
Infineon
IRFB4615PBF
ab € 0,739*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 187 A ± 20V max. , 1200 V 890 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 187 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Single Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N ...
Vishay
VS-GT100DA120UF
ab € 28,63*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 146mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 135W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDD2572
ab € 1,10*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 281 A ± 20V max. , 1200 V 1,09 kW, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 281 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N ...
Vishay
VS-GT180DA120U
ab € 36,15*
pro Stück
 
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