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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: u...
Vishay
IRL640STRLPBF
ab € 1,02*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 960W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXFK32N100P
ab € 16,26*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0,7A; 25W; TO220FP; 710ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220FP Bereitschaftszeit: 710ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 0,7A Widerstand im Leitungszustand: 17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W ...
IXYS
IXTP05N100M
ab € 1,95*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1135W Polarisi...
Microchip Technology
APT34F100L
ab € 22,40*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F (1 Angebot) 
Hersteller: BRIDGELUX Montage: THT Gehäuse: TO220F Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 55W Polarisierung: unip...
Bridgelux
BXP18N20F
ab € 0,49*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 820ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 3A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
IXYS
IXTP3N100P
ab € 2,24*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0,8A; 42W; TO263; 750ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 750ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 0,8A Widerstand im Leitungszustand: 20Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Po...
IXYS
IXTA08N100P
ab € 1,36*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™ (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W Polarisierung: unip...
IXYS
IXFR32N100Q3
ab € 31,19*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12,1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 12,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 139W Polarisierung: unipo...
onsemi
FQB19N20CTM
ab € 0,78*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 290W; TO247-3; 1,1us (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 1,1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 4A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 290W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
IXYS
IXTH4N100L
ab € 10,02*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W Polarisierung: unipo...
IXYS
IXFR15N100Q3
ab € 13,52*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264 (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 440mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1kW Polarisierung: unipolar Ve...
IXYS
IXFK24N100Q3
ab € 18,18*
pro Stück
 
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Infineon
IRFP4668PBF
ab € 3,35*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 139W Polarisierung...
Microchip Technology
APT1003RSLLG
ab € 9,52*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 70ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 695W Po...
IXYS
IXTT10N100D2
ab € 11,23*
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