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  Transistor  (24.787 Angebote unter 29.149.252 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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STMicroelectronics STB13007DT4 SMD, NPN Transistor 700 V / 16 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 16 A Kollektor-Emitter-Spannung = 700 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 80 W Gleichstromverstärkung min. = 8 Tra...
ST Microelectronics
STB13007DT4
ab € 581,41*
pro 1.000 Stück
 
 Packung
Infineon IRFU4615 Transistor 80 V (6 Angebote)
Infineon
IRFU4615PBF
ab € 0,69*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 193 A ± 20V max. Dual, 650 V 517 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 193 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 517 W Gehäusegröße = INT-A-PAK Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ =...
Vishay
VS-GT200TS065N
ab € 76,67*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 53mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 68W Pola...
Infineon
IPB530N15N3GATMA1
ab € 0,59*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung m...
ST Microelectronics
STB18N60M6
ab € 1.127,36*
pro 1.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisierun...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD25N15B
ab € 0,173*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 247 A ± 20V max. Dual, 650 V 517 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 247 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = INT-A-PAK Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N...
Vishay
VS-GT100TS065S
ab € 73,94*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13,5A; 83W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 13,5A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD256
ab € 0,54*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STB45N30M5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 53 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 53 A Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung ma...
ST Microelectronics
STB45N30M5
ab € 3.350,20*
pro 1.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDMS86200
ab € 1,18*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 359 A ± 20V max. , 600 V 750 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 359 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 750 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N...
Vishay
VS-GT250SA60S
ab € 31,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,107Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unip...
onsemi
FDP42AN15A0
ab € 1,34*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3,1A; 2,5W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 3,1A Widerstand im Leitungszustand: 53mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDS2572
ab € 0,694*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 476 A ± 20V max. Dual, 650 V 1 kW, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 476 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 1 kW Gehäusegröße = INT-A-PAK Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT200TS065S
ab € 104,09*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 80ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 390W...
IXYS
IXFH130N15X3
ab € 6,20*
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