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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN26N100P
ab € 43,50*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 568W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN24N100
ab € 33,45*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustleistung: 520...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JLL
ab € 48,52*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; schraubbar; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 370mΩ Verlustleistung: 520...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JFLL
ab € 43,97*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 27A; SOT227B; schraubbar; 690W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100P
ab € 27,19*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45M100J
ab € 64,50*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; SOT227B; schraubbar; 780W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN32N100Q3
ab € 53,13*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10026JFLL
ab € 94,49*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10026JLL
ab € 93,34*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 800W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Verlustleistu...
IXYS
IXTN30N100L
ab € 65,08*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Verlustleistung: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10025JVR
ab € 82,28*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 34A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Verlustleistung: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10025JVFR
ab € 87,18*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN36N100
ab € 57,60*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10021JFLL
ab € 96,65*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 37A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10021JLL
ab € 95,04*
pro Stück
 
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