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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; Transistor/Transistor; 1,7kV; 225A; Half-Bridge Module (3 Angebote) 
Hersteller: Wolfspeed(CREE) Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: Half-Bridge Module Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 225A Widerstand im L...
Wolfspeed
CAS300M17BM2
ab € 984,14*
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 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 285A; Half-Bridge Module (2 Angebote) 
Hersteller: Wolfspeed(CREE) Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: Half-Bridge Module Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 285A Widerstand im L...
Wolfspeed
CAS300M12BM2
ab € 745,91*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 138A; Half-Bridge Module (2 Angebote) 
Hersteller: Wolfspeed(CREE) Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: Half-Bridge Module Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im L...
Wolfspeed
CAS120M12BM2
ab € 427,90*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-Li Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
VMM650-01F
ab € 378,31*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 590A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Verlustlei...
IXYS
VMO550-01F
ab € 345,05*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 67A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
IXFN90N170SK
ab € 344,78*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 125A; HB9434; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: HB9434 Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 125A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMH200N1200
ab € 328,39*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 125A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 125A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMI200N1200
ab € 306,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Verlustleistung: 1,5kW Polarisieru...
IXYS
VMM300-03F
ab € 286,81*
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 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP6C Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 49A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Verlustleistung: 1,25kW El...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100A13SG
ab € 280,28*
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 Stück
Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 108A; ISOTOP; schraubbar; Idm: 280A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Verlustleistung: 600W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100MC120JCU2
ab € 277,31*
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 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 110A; HB9434; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: HB9434 Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszu...
DACO Semiconductor
DACMH160N1200
ab € 261,80*
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 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP6C Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 155A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Verlustleistung: 781...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20HM08FG
ab € 259,04*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 42A; SP1; Press-in PCB; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1 Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Verlustleistung: 250W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTMC120AM55CT1AG
ab € 242,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 76A; HB9434; schraubbar; 500W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: HB9434 Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 76A Widerstand im Leitungszus...
DACO Semiconductor
DACMH120N1200
ab € 209,21*
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