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  transistor 800v  (387 gefilterte Angebote unter 29.208.078 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: unipo...
Vishay
SIHA4N80E-GE3
ab € 0,851*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5,7A; 290W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,05Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 290W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM10N80CZ C0G
ab € 3,56*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,9A; Idm: 7A; 29W; TO220FP (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 1,9A Widerstand im Leitungszustand: 1,35Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 29W Polarisierung: unipo...
Vishay
SIHA5N80AE-GE3
ab € 0,459*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,195Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W Polarisierung: unip...
Vishay
SIHP24N80AEF-GE3
ab € 1,77*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W; TO264MAX (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264MAX Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 893W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8014L2LLG
ab € 45,04*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W Polarisierung: unipo...
Vishay
SIHP17N80E-GE3
ab € 2,47*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1,04kW (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247MAX Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,04kW Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41M80B2
ab € 16,50*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 0,55Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 60W Polarisierung: unipolar V...
onsemi
NTD600N80S3Z
ab € 1,00*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 38A; 179W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,235Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 179W Polarisierung: ...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
ab € 1,19*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30W Polarisierung: unipo...
Vishay
SIHA6N80AE-GE3
ab € 0,611*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 184mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 35W Polarisierung: unipola...
Vishay
SIHA24N80AE-GE3
ab € 1,40*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: un...
Vishay
SIHD4N80E-GE3
ab € 1,01*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 62,5W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: ...
Vishay
SIHD6N80AE-GE3
ab € 0,45*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: IPAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 0,63A Widerstand im Leitungszustand: 20Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FQU1N80TU
ab € 0,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 62,5W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: IPAK;TO251 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 3,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung: ...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
ab € 0,50*
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